- Школьная система безопасности в США... (4531)
- Ещё один новый тип памяти. JEDEC завершает... (4484)
- Waymo отзывает более 3000 беспилотных... (4161)
- 8800 мАч, 6,1 мм толщины, HarmonyOS 4.3 и ни... (3391)
- 8800 мАч, 6,1 мм толщины, никакой Android и... (3855)
- Суборбитальный полёт Blue Origin NS-37... (4442)
- Проблема на рынке памяти не будет решена до... (4594)
- Карманный роутер с Wi-Fi 7, скоростью 3600... (3413)
- Замена трёхстворчатого дисплея у Samsung... (3092)
- «Маленькая китайская Nvidia» предупредила... (3490)
- У смартфонов Samsung Galaxy проблемы с... (4610)
- Китайский спутник был «на волосок» от... (4801)
- Escape from Tarkov вошла в Зал Славы... (3653)
- Компания Kingmax решила вернуться на рынок... (4869)
- Предсказывать магнитные бури станет легче:... (3900)
- В этот день 15 лет назад «исчез» создатель... (3593)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...