- Вот как Nvidia сможет следить за... (4596)
- 9000 мАч, 100 Вт и цена примерно 350... (4538)
- Бюджетный Core Ultra 5 225F является... (4992)
- Netflix нашла в YouTube оправдание для... (3122)
- Пришла пора окончательно прощаться с GeForce... (3887)
- Семейный Hyundai с мотором мощностью 170... (6117)
- Мировой рынок серверов бьёт рекорды... (4928)
- Важный рубеж: аккумуляторы подешевели... (4133)
- 15 кг магния на каждый килограмм «зеленого»... (3894)
- Windows on Arm становится лучше. Microsoft... (3640)
- Экран фанатского флагмана Samsung Galaxy S25... (3814)
- Новейший 5-метровый BYD Tang L вышел за... (4816)
- Легендарному Jeep Wrangler добавили стиля:... (5157)
- Intel хочет разрабатывать для клиентов... (5151)
- Компьютеры Dell подорожают на сотни... (3924)
- Дорожает не только оперативная память. На... (4942)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...