- Не только 108 Мп, но еще и батарея 5520 мАч,... (3451)
- Компактная однослотовая видеокарта с 32 ГБ... (3981)
- Роскомнадзор заверил, что не замедляет... (2888)
- А уже всё, а надо было раньше. Китай... (4013)
- В шаге от катастрофы — китайский спутник... (2739)
- Будущее уже наступило: полицейские с... (2741)
- Фотофлагман с дюймовой камерой и огромным... (3844)
- В глубинах Земли может существовать... (3280)
- Второй экран для настольного ПК или... (3118)
- «Я знаю Кунг-фу», то есть Джит Кун-До.... (2930)
- У чёрных дыр и нашего Солнца нашлось кое-что... (3888)
- Huawei отвоевала себе первое место: новый... (2938)
- Кроссовер Geely с ресурсом 1 млн км, который... (3330)
- Volvo и Geely создали крупнейший в мире... (3586)
- Одно из крупнейших сооружений в мире.... (3535)
- Искусственный интеллект стал героем статьи... (2874)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...