- Одно из крупнейших сооружений в мире.... (3540)
- Искусственный интеллект стал героем статьи... (2877)
- «Человек года 2025», по версии Time, — не... (3349)
- iPhone теперь может делиться уведомлениями с... (4232)
- Samsung пытается договориться о памяти для... (3532)
- Intel готова выложить за стартап SambaNova... (4642)
- Голосовой помощник Gemini стал лучше... (4460)
- Атаки нулевого дня заставили Google и Apple... (4444)
- Социальной сети X удалось увеличить... (4646)
- Oracle затягивает со строительством... (2729)
- Китай не примет ускорители Nvidia H200, как... (3637)
- «Яндекс» выведет на рынок электромобиль для... (3948)
- Самый дорогой экран смартфона Samsung за всю... (2557)
- Samsung Galaxy S24, Galaxy S24 Plus и Galaxy... (2724)
- УАЗ «Патриот» получит сразу две... (3468)
- «Чудо инженерной мысли». Илон Маск рассказал... (3479)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...