- КамАЗ начал выпускать дисковые тормоза для... (2908)
- 7400 мАч, 80 Вт, Snapdragon 8 Gen 5, IP69 и... (3438)
- Colorful выпустила флагманскую плату iGame... (3107)
- Scythe выпустила Kotetsu Mark 4 —... (2801)
- Вышла iOS 26.2 с улучшениями Liquid Glass,... (2964)
- УАЗ начнет выпускать совершенно новый... (3920)
- PowerColor, Sapphire и ASRock представили... (2740)
- За 2025 год в Steam вышли рекордные 19 тысяч... (3400)
- Google Translate научился синхронно... (3260)
- Распаковку смартфона OnePlus 15R... (3346)
- Распаковку смартфона OnePlus 15R... (3092)
- Новая статья: Where Winds Meet — призрак... (2885)
- Полный привод, 9-ступенчатая коробка передач... (3407)
- Редчайшую Lada Revolution выставили на... (2461)
- Крупнейший отзыв Lada Granta за год: 33,4... (3625)
- В России запускают сборку «китайских Land... (2379)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...