- У этой платы пять слотов для SSD,... (4765)
- Кроссовер Hyundai ix35 подорожал в России на... (3058)
- Ноутбук Asus Zenbook Duo получит двойной... (3622)
- Названы страны, где дешевле всего создавать... (4590)
- Google Translate (Google Переводчик)... (3040)
- Легендарный российский журнал «Игромания»... (2854)
- ChatGPT стал самым скачиваемым бесплатным... (4680)
- Китай может дополнительно вложить в... (4652)
- Jeep Renegade 2025 добрался до России:... (2723)
- В RuStore назвали самые популярные... (2919)
- Процессоры Intel Core Ultra 200K Plus ещё не... (4481)
- Передовой отечественный электромобиль «Атом»... (4472)
- Первую партию трёхстворчатых смартфонов... (4544)
- Google резко усложнила откат обновлений... (2817)
- «Тройной» Samsung Galaxy Z TriFold с... (2730)
- Смарт-часы Honor Choice Watch 2 Pro... (4260)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...