- «Тройной» Samsung Galaxy Z TriFold с... (2734)
- Смарт-часы Honor Choice Watch 2 Pro... (4292)
- Жители Томска выйдут на улицу с протестом... (4797)
- Никаких закладок: NVIDIA анонсировала новое... (4433)
- Роскосмос показал огромный «Протон» с высоты... (2663)
- Трамп запретил штатам самостоятельно... (4408)
- Производитель модульных ноутбуков Framework... (2859)
- Экспериментальный браузер Google Disco с... (2748)
- Дешёвая «лучистая» системная плата с кучей... (2778)
- В «Яндекс Картах» заработал чат-бот с ИИ —... (2588)
- Intel тестирует оборудование американской... (2465)
- ChatGPT 18+ выйдет уже скоро. Взрослый режим... (4426)
- Младший брат неубиваемого Honor X9d. Honor... (4553)
- В МФТИ изучили альтернативы ИИ-ускорителям... (4139)
- Xiaomi, который бреет. Представлена... (4682)
- Россияне пожаловались на затянувшееся... (4912)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...