- GlobalFoundries получит почти полмиллиарда... (3134)
- Corsair представила коллекцию периферии в... (3118)
- Орбитальные лазеры обещают сбор солнечной... (4919)
- Россияне покупают больше американских... (2771)
- 100% европейский луноход Mona Luna успешно... (4247)
- Samsung Galaxy S26 Ultra сертифицирован в... (2750)
- Китайская «маленькая Nvidia» начала... (3160)
- Россияне массово переходят на домашний... (3350)
- Хакерский ИИ уже почти обошёл человека —... (3683)
- Framework публично пристыдила Dell за цены... (3676)
- Криптопроект Сэма Альтмана World запустил... (3825)
- Европа всё-таки оштрафует Google за... (3966)
- Создатель Yakuza анонсировал приключенческий... (3744)
- Google запустила «намного более мощный»... (3346)
- Крупнейшее обновление УАЗа «Патриот» за... (3916)
- «СберМобайл» внедрил ИИ-консультантов на... (3322)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...