- В «Сферуме» в Max зарегистрировалось 15... (4006)
- Флагманский камерофон Xiaomi 17 Ultra выйдет... (4037)
- «Выглядит настолько хорошо, что похоже на... (3622)
- Конкурент «ГАЗели NN» от бывшего... (2818)
- Intel заподозрили в тестировании... (3373)
- Первая в мире игра, полностью созданная с... (3360)
- Этого ждали шесть лет: Samsung Galaxy S26... (2817)
- Samsung не меняла эту характеристику своих... (3032)
- Runway представила свою первую ИИ-модель... (2887)
- Huawei снова улучшила 7-нм техпроцесс на... (3341)
- Huawei освоила 5-нм техпроцесс на старом... (3220)
- ChatGPT подружили с Adobe Photoshop, Acrobat... (3407)
- Так красиво, хоть на ёлку — NASA представило... (3569)
- Смартфон Honor X8d получил чип Snapdragon 6S... (3088)
- iPhone 17 Pro получил второй AMOLED-экран на... (3240)
- Зрелищные воздушные бои и ежедневная рутина... (4064)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...