- Huawei снова улучшила 7-нм техпроцесс на... (3345)
- Huawei освоила 5-нм техпроцесс на старом... (3222)
- ChatGPT подружили с Adobe Photoshop, Acrobat... (3416)
- Так красиво, хоть на ёлку — NASA представило... (3574)
- Смартфон Honor X8d получил чип Snapdragon 6S... (3094)
- iPhone 17 Pro получил второй AMOLED-экран на... (3243)
- Зрелищные воздушные бои и ежедневная рутина... (4069)
- Вместо KotOR 3: новая студия соавтора Mass... (3900)
- Маму и поликлинику точно не заблокируют:... (4496)
- Самые впечатляющие снимки с орбиты:... (2913)
- «Протон» на стартовом столе на фоне... (2907)
- К МКС одновременно пристыкованы сразу 7... (3098)
- Canon, Kyocera и Honda тоже дадут денег на... (2982)
- Илон Маск меняет основные принципы... (3607)
- Россияне скупили почти все доступные... (3096)
- Седан, который не прижился в России: Omoda... (2704)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...