- На Восточном готова ракета «Союз» с новыми... (2760)
- Обнаружен один из ближайших «татуинов».... (2912)
- Новый геймплейный трейлер Resident Evil... (2857)
- Бюджетный бизнес-вэн с запасом хода более... (3628)
- BMW, Toyota и Volkswagen из Грузии хлынули в... (2767)
- Шестиколёсный «Гелендваген» по цене яхты: в... (2769)
- Многомиллиардными заказами на поставку чипов... (3885)
- Стратегия галактического масштаба Total War:... (3332)
- Авторы культового хоррора Soma анонсировали... (3136)
- Режим ChatGPT «для взрослых» дебютирует не... (3025)
- Анонсирован паранормальный ролевой боевик... (3262)
- Disney потребовала от Google немедленно... (3711)
- Разработчики Baldur’s Gate 3 анонсировали... (3387)
- Huawei запустила на мировой рынок... (3011)
- Пузырь ИИ вернул цену акций Cisco на уровень... (3013)
- Суд разрешил Apple взимать «разумную... (2617)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...