- Disney потребовала от Google немедленно... (3715)
- Разработчики Baldur’s Gate 3 анонсировали... (3387)
- Huawei запустила на мировой рынок... (3015)
- Пузырь ИИ вернул цену акций Cisco на уровень... (3015)
- Суд разрешил Apple взимать «разумную... (2621)
- Суд позволил Apple взимать разумную комиссию... (3777)
- Дизайнерский роутер-гора Huawei X3 Pro... (3585)
- «Красный код» сработал: OpenAI ускорилась и... (3323)
- Акции Oracle показали рекордное с 2001 года... (3574)
- Epic'еская победа: Fortnite вернулась в... (3688)
- Телескоп James Webb обнаружил самую старую... (3403)
- Юристы хотят отобрать у Маска бренд Twitter... (3920)
- Новая статья: Мастерская локальных ИИ:... (3618)
- Google показала экспериментальный браузер... (3244)
- Новая CRISPR-платформа Cellgorithm... (3544)
- Nvidia подключается к Hynix, чтобы за два... (3162)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...