- Zotac выпустила мини-ПК с настольной GeForce... (2915)
- «Рег.ру» вывел на рынок приватного... (3121)
- Warhammer 40,000: Rogue Trader вышла на... (3100)
- Релиз Deus Ex Remastered отложили на... (3532)
- Нейросеть Sora сможет законно генерировать... (3007)
- Часы для фанатов PlayStation в честь... (3538)
- Купить Xiaomi за криптовалюту. Смартфоны... (4210)
- Intel проиграла апелляцию, но штраф снова... (3636)
- MSI представила материнские платы X870E Max... (2687)
- OpenAI обвиняется в том, что ChatGPT стал... (2979)
- Цены на память продолжат взлёт в 2026 году —... (3532)
- «Нам повезло быть одними из первых»:... (3492)
- В Европе представили невероятный квантовый... (3639)
- Полиция в США начала использовать ИИ для... (3549)
- Перекупщики взвинтили цены на DDR5 —... (3265)
- Генеративный Микки Маус грядёт: Sora сможет... (3803)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...