- SpaceX и Amazon получат малую часть... (3054)
- Xiaomi представила один из самых доступных... (2810)
- Получены первые прямые снимки термоядерных... (2688)
- Внедорожник Kia, который не оценили. Kia... (2853)
- До 245 Тбайт, PCIe 5.0 и QLC NAND: DapuStor... (2546)
- Руководитель подразделения ИИ-инфраструктуры... (3016)
- Китай временно остался без аварийного... (2651)
- Northrop Grumman испытывает новый... (3334)
- Первые тесты AMD Ryzen 7 9850X3D с огромным... (4114)
- 32 дюйма, QLED, Google TV — всего 150... (3611)
- Альтернатива iPhone и Android-смартфонам.... (3527)
- M**a отложила выпуск очков смешанной... (3423)
- Sony выпустит новые Mini LED-телевизоры... (3564)
- Subaru представила Trailseeker 2026 года с... (3291)
- Zotac отказала в гарантии на новую GeForce... (3541)
- Представлен гигантский «парашют-генератор»... (2721)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...