- Необычный внешне Nothing Phone (4a) Pro... (1063)
- Крупнейшее исследование показало связь массы... (1149)
- Планшет Oppo Pad Mini с аккумулятором 8000... (1102)
- Учёные уточнили два сценария происхождения... (952)
- Более 50 приложений в Google Play скрывали... (936)
- Энтузиаст успешно запустил Windows 3.1 на... (1082)
- DLSS 5 приняли неоднозначно, но нейронный... (1043)
- United Launch Alliance вывела на орбиту... (1277)
- Какой флагманский смартфон 2026 года самый... (1121)
- В руководстве OpenAI провели очередные... (1087)
- Nvidia показала нейронное сжатие текстур:... (1047)
- Корабль Orion миссии Artemis II преодолел... (975)
- Специалисты iFixit разобрали наушники Apple... (1120)
- Цена лицензий на кодеки H.264/AVC для... (901)
- Wi-Fi отдыхает: ученые создали систему... (1101)
- «Я запёк свою видеокарту». Пользователь... (918)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...