- Intel после нападок со стороны Arm защищает... (1355)
- ФБР предупреждает. Бюро опубликовало... (1367)
- ФБР предупреждает. Бюро опубликовало... (1341)
- 32 дюйма, WOLED, а не QD-OLED, и частота до... (1527)
- Японская сеть Akihabara отдает максимум два... (1512)
- Японская сеть Akihabara отдает максимум два... (1169)
- Киберспортивный монитор с частотой свыше... (1201)
- «Этот вид ощущается совсем иначе».... (1347)
- Google представила ИИ-модели Gemma 4. Две из... (1171)
- На космическом корабле Orion к Луне... (1273)
- Intel на днях представила видеокарту Arc Pro... (1379)
- Энтузиаст установил Windows 3.1x на... (1413)
- Серверы AWS в Бахрейне и Дубае выведены из... (1299)
- Samsung подтвердила проблему с камерой... (1162)
- Bigme готовит первый в мире смартфон с двумя... (1146)
- Arm за несколько лет почти полностью... (1274)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...