- Радиометр Juno уточнил толщину ледяной коры... (1235)
- Космический телескоп IXPE помог раскрыть... (1240)
- Акции Hyundai взлетели и обновили максимум —... (1825)
- Япония поставила космические старты на... (1908)
- NASA заключило контракт на $339,8 млн для... (1658)
- Более полумиллиона машин Volkswagen и... (1464)
- «Это не Carmageddon»: гоночный боевик на... (1798)
- 9216 светодиодов и цвета за гранью... (1414)
- В продаже появилась советская «девятка»... (1743)
- xAI привлекла $20 млрд инвестиций. Рекордное... (1546)
- Акции Sandisk подскочили на 28 % за день... (2593)
- Акции Sandisk выросли в цене на 28 % за день... (1248)
- Как снимает 200-мегапиксельная камера Honor... (1435)
- OnePlus Turbo 6 с аккумулятором 9000 мАч,... (1970)
- Представлены OLED-телевизоры Samsung 2026... (1292)
- Дешёвая GaN-зарядка на 50 Вт с четырьмя... (1866)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...