- 8050 мАч, 100 Вт, 200 Мп, звук Bose, IP69 и... (2626)
- Стартовало производство новой версии... (2588)
- «У нас есть хорошие новости: мы получили... (2482)
- Электрический кроссовер UMO 5 с технологиями... (2663)
- Кооперативное приключение Hela: of Mice &... (2021)
- Китай отверг обвинения в злонамеренной... (2330)
- Можно будет запустить даже на GTX 1070, но с... (2366)
- Марганец вместо дорогих никеля и кобальта:... (2418)
- Перестала работать через 30 секунд: Dyson... (2410)
- Российский ответ на DeepSeek R1 и OpenAI... (3098)
- У этого компьютерного корпуса есть отдельные... (2425)
- Besxar заручилась поддержкой SpaceX для... (2813)
- Современную замену устаревшим Ан-24 и Ан-26... (2141)
- Никакого перископа: Vivo X500 получил... (2668)
- Раскрыты российские цены смарт-часов Apple... (2495)
- JD Cloud и Moore Threads совместно создадут... (3054)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...