- Самая большая батарея в истории... (996)
- Удачно прилунившийся модуль Firefly... (1193)
- DeepSeek готовит новую модель V4 без Nvidia:... (991)
- «Мы на полпути». Космический корабль Orion и... (1227)
- В Grok Imagine добавили распознавание... (1250)
- Xiaomi выпустила очень мощный робот-пылесос... (896)
- США готовятся к строительству базы на Луне:... (1028)
- Китайские производители чипов завершили... (957)
- ИИ-редактор в Telegram оказался с китайской... (1002)
- «Telegram был заблокирован в России — и всё... (921)
- Anthropic связала склонность Claude к... (1153)
- Поддержка ИИ-моделью DeepSeek V4 ускорителей... (943)
- Тестовый полёт космического корабля SpaceX... (970)
- Восстание стиральных машин: программное... (891)
- Новая статья: Life is Strange: Reunion —... (1898)
- Создан первый логический квантовый процессор... (1949)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...