- Отрицание пузыря основателем Nvidia не... (2461)
- Власти США задумались о снятии запрета на... (4096)
- Американские власти обсуждают идею... (2302)
- Этот продукт Apple создала специально для... (4034)
- Новая статья: Call of Duty: Black Ops 7 —... (2681)
- Дизайн просто прямо взят у iPhone 17 Pro,... (3056)
- Круглое, магнитное, охлаждающее. Бренд Black... (3208)
- Даже это не спасёт рынок. Hynix намерена... (4233)
- В Steam стартовала бесплатная раздача... (2980)
- Huawei пообещала флагманам Mate 80... (2716)
- Huawei научилась создавать конкурентов для... (2908)
- «Просить больше казалось неправильным»:... (3020)
- Google теперь использует письма... (2513)
- У Grok сломался регулятор подхалимства к... (2696)
- NASA собрало сверхтяжёлую ракету SLS,... (3553)
- Разработчики Nioh 3 раскрыли системные... (2487)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...