- Мировой Интернет умер — снова проблемы с... (3337)
- OnePlus 15 царапали, гнули, поджигали и в... (3985)
- «Произошёл сбой во время испытаний газовой... (4466)
- Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и... (3848)
- Мощность 1 кВт и пассивное охлаждение.... (2521)
- Ubisoft объяснила, почему задержала... (2634)
- Joby Aviation подала в суд на конкурента... (2567)
- Маск пообещал дешёвые ИИ-серверы в космосе... (2769)
- Ускоритель SpaceX Super Heavy для нового... (2618)
- «Покажите деньги»: инвесторы заподозрили... (4332)
- Журналисты выяснили, когда выйдет ремейк... (3010)
- Обнаружен Android-троян Sturnus, который... (2913)
- Обработка текста ИИ-моделями в Windows 11... (2340)
- ИИ от Google ускорит строительство ядерных... (5137)
- Хакеры взломали десятки тысяч роутеров... (2679)
- Китайский робот AgiBot A2 без остановки... (2541)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...