- ИИ от Google ускорит строительство ядерных... (5114)
- Хакеры взломали десятки тысяч роутеров... (2662)
- Китайский робот AgiBot A2 без остановки... (2538)
- Анонсирован PUBG: Black Budget —... (2717)
- Физики 200 лет распространяли чушь о... (4161)
- Bethesda представила рабочий Pip-Boy 3000 из... (3957)
- Испанский суд оштрафовал M**a на €479 млн —... (2499)
- Глава AMD заявила, что недальновидно бояться... (2646)
- «Сбер» представил «Грина» —... (3154)
- Осколки зелёного болида, замеченного в небе... (4347)
- Воксельный вестерн Erosion отправит игроков... (2949)
- Perplexity выпустила ИИ-браузер Comet для... (2504)
- Nvidia на крючке: 61 % выручки компании... (4617)
- Назван самый популярный бренд смартфонов... (4392)
- У Джеффа Безоса появится своя лунная ракета... (4209)
- «Это слухи и домыслы»: Тан отверг... (3545)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...