- Смартфоны Poco F7 и Poco X7 Pro сочетают... (4316)
- NASA показало самые детальные изображения... (4396)
- Игровые видеокарты теперь приносят всего 7,5... (2910)
- Супергеройская комедия Dispatch от ведущих... (2773)
- AMD и Nvidia готовятся урезать или даже... (2598)
- «Столько циников!»: глава ИИ Microsoft... (2841)
- Представлен «самый мощный серийный Porsche... (4673)
- Геймплей ролевого экшена Fatekeeper от... (4375)
- Уровень брака у ангстремного техпроцесса... (4313)
- «Чем больше раскрываешь — тем сильнее... (4072)
- Samsung Galaxy S25, Galaxy S23, Galaxy Z... (2445)
- Toyota будет реже обновлять свои машины, но... (2418)
- В России лишь объявили цены на гибрид Geely... (4501)
- У Toyota не осталось ничего святого: японцы... (3711)
- Представлен гибридный Nissan Rogue — и это... (4480)
- 7800 мАч, 120 Вт, Snapdragon 8 Elite, IP69.... (4512)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...