- Самая массовая модель в истории китайского... (3952)
- Новый Tank 400 для России получит «Яндекс... (4364)
- Colorful выпустила видеокарты iGame Ultra Z... (3028)
- В этот стартап влито уже более 6 млрд... (3137)
- Hyundai зарегистрировала в России несколько... (4051)
- Компактный смартфон с 200-мегапиксельной... (2481)
- Чехлы для будущих iPhone могут получить... (4165)
- Samsung сделала лучше, но пока лишь на 5-8%.... (2503)
- Отечественный конкурент «ГАЗели» обзавелся... (2858)
- Эта системная плата справится даже с... (2927)
- Биткоин вновь упал — и обнулил весь рост с... (4539)
- Представлен Oppo Reno15 Pro: 6500 мАч, 80/50... (4262)
- Заранее и с высокой точностью: ИИ-модель... (2388)
- Больше $300 млрд за пятилетку Samsung вложит... (2794)
- Huawei представит технологию, позволяющую... (4432)
- Устойчивая связь при скорости до 400 км/ч: в... (4778)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...