- Утечки об уходе Тима Кука на пенсию — это... (2508)
- Дефицит DRAM усиливается: продавцов уже... (2220)
- «Ростелеком» пробурил под Камой уникальный... (3524)
- SpaceX в пятисотый раз успешно запустила... (3217)
- Nintendo показала первые кадры из фильма по... (3394)
- Выглядит, как флешка, но это полноценный... (4602)
- Хочешь купить ОЗУ, придётся купить ещё и... (4233)
- MaxSun представила плату MS-iCraft B850 Aiga... (2893)
- Это будет очередной прорыв для смартфонов... (3360)
- M**a потратила 10 лет и $100 млрд на... (4798)
- Владелец Amazon Джефф Безос нашёл себе новую... (2276)
- ИИ поручили управление торговым автоматом —... (4591)
- Видеокарты тоже подорожают. Сообщается, что... (4398)
- Наушники Samsung Galaxy Buds 4 получат... (3168)
- Разработчики Cities: Skylines 2 и Paradox... (4615)
- Capcom пообещала уберечь Resident Evil... (3524)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...