- Это будет очередной прорыв для смартфонов... (3367)
- M**a потратила 10 лет и $100 млрд на... (4806)
- Владелец Amazon Джефф Безос нашёл себе новую... (2276)
- ИИ поручили управление торговым автоматом —... (4591)
- Видеокарты тоже подорожают. Сообщается, что... (4414)
- Наушники Samsung Galaxy Buds 4 получат... (3171)
- Разработчики Cities: Skylines 2 и Paradox... (4626)
- Capcom пообещала уберечь Resident Evil... (3536)
- Самая массовая модель в истории китайского... (3954)
- Новый Tank 400 для России получит «Яндекс... (4379)
- Colorful выпустила видеокарты iGame Ultra Z... (3040)
- В этот стартап влито уже более 6 млрд... (3145)
- Hyundai зарегистрировала в России несколько... (4053)
- Компактный смартфон с 200-мегапиксельной... (2483)
- Чехлы для будущих iPhone могут получить... (4174)
- Samsung сделала лучше, но пока лишь на 5-8%.... (2507)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...