- Представлен гибридный Nissan Rogue — и это... (4480)
- 7800 мАч, 120 Вт, Snapdragon 8 Elite, IP69.... (4512)
- В России — 3,66 млн рублей, в Китае — 160... (4728)
- Китай отправит запасной корабль для... (2700)
- Новая статья: Обзор смартфона OnePlus 15:... (4539)
- Объявлены номинанты The Game Awards 2025 —... (4509)
- Google выпустит мобильную версию AI Studio... (3691)
- Samsung выпустила «умную клавиатуру» с... (3010)
- Sparkle представила видеокарту Arc Pro B60... (3077)
- Ролевой экшен Where Winds Meet в антураже... (2654)
- Китайская Loongson готовит процессоры 3D7000... (3528)
- 48 ГБ памяти, пассивный охладитель и... (2473)
- Календарь релизов 17 – 23 ноября:... (2216)
- Новый уровень сложности, переработка... (2391)
- Oppo выпустила смартфоны Reno15 Pro и Reno15... (3581)
- Microsoft анонсировала игровую презентацию... (2844)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...