- У Toyota появится новый мотор V8, его... (2625)
- Процессоры Intel прошлых поколений настолько... (3018)
- SpaceX накроет США «Золотым куполом»:... (4412)
- Геймеры Steam стали чаще выбирать Linux.... (5087)
- Разъём питания 12V-2x6/12VHWPR спалил... (2432)
- Самый дешёвый китайский кроссовер в России... (3838)
- За квартал в России подскочил уровень... (3987)
- Хоррор-экшен Condemned: Criminal Origins от... (2705)
- Скидка продержалась всего один день: в... (2855)
- Google добавит в ИИ-поиск рекламу, но она... (4463)
- Стало известно о втором случае плавления... (2581)
- Учёный подтвердил, что над Москвой мог... (4595)
- SpaceX провела 100-й запуск... (2544)
- Учёные из Caltech выявили ограничения... (4395)
- Стоимость Radeon RX 9070 XT опустилась до... (1998)
- Nissan и Forsberg Racing «прокачали»... (2898)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...