- Тим Кук спас Apple от катастрофического... (1974)
- Настольные суперкомпьютеры Nvidia DGX Spark... (2427)
- AMD ещё раз заверила, что Radeon RX 5000 и... (3049)
- 500 Тбит/с по дну Чёрного моря: Vodafone... (2045)
- Роглайк-экшен Hades 2 получил расширенную... (2281)
- Oukitel WP60 — сверхпрочный смартфон с ёмкой... (2827)
- Анджей Сапковский не помогает CD Projekt Red... (2814)
- Мировой рекорд разгона памяти DDR5 обновлён... (2649)
- Разработчиков GTA VI обвинили в «одном из... (2322)
- «Новая монетизации газа»: якутская ЯТЭК... (2541)
- Lexus LS — больше не скучный... (4821)
- Предвестник совершенно нового Mitsubishi... (2673)
- Самый главный конкурент Toyota Alphard.... (4408)
- Microsoft подтвердила, что баг в «Диспетчере... (3355)
- WhatsApp вслед за Telegram стал предлагать... (4260)
- Представлен супервнедорожный Nissan Project... (2883)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...