- SpaceX провела 100-й запуск... (2543)
- Учёные из Caltech выявили ограничения... (4379)
- Стоимость Radeon RX 9070 XT опустилась до... (1996)
- Nissan и Forsberg Racing «прокачали»... (2890)
- Парадокс: Mercedes-Benz официально ушла из... (3049)
- «Большой 5-местный кроссовер для молодежи» с... (2810)
- Samsung продала все чипы памяти HBM4 на 2026... (2539)
- Western Digital наконец-то взялась за... (2817)
- Производством Samsung будет управлять ИИ.... (2830)
- Как превратить базовый iPhone 17 Pro Max... (2757)
- Самый быстрый SSD для обычных пользователей?... (1976)
- Intel устроила «охоту» на бывшего старшего... (1961)
- Как раз к зиме: Xiaomi представила умную... (1924)
- Китайцы стали активнее покупать Toyota. За... (2429)
- GeForce RTX 3060 снова сильнее всех, а... (4324)
- Radeon RX 9070 XT наконец-то начала дешеветь... (4098)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...