- iPhone Duo будет стоить до $3000. iPhone 18... (2206)
- Samsung бросает вызов TSMC — 2-нм завод в... (2320)
- Ещё до анонса Xiaomi 18T и Xiaomi 18T Pro... (2587)
- Где посмотреть презентацию новых iPhone: Её... (2518)
- По вине Valve в открытый доступ попали... (2432)
- Вышел трейлер фильма «Искусственный» про... (2461)
- Сегодня — презентация Apple, на которой... (2507)
- OpenAI заявила, что её ИИ решил одну из... (2620)
- Представлен необычный 32-дюймовый экран на... (2323)
- Первый телевизор Xiaomi с RGB-Mini LED... (2278)
- Nvidia выпустит новую версию видеокарты... (2315)
- Пользоваться DeepSeek становится гораздо... (2564)
- OpenAI представила генератор изображений... (2397)
- Представлен карманный насос Xiaomi — он... (2293)
- Представлен Zeekr 7X 2027 с новой батареей... (2663)
- Глава Kioxia отверг идею усиления связей с... (2498)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...