- Без турбин и на жидком металле: раскрыты... (1676)
- Пользователи Steam выбрали лучшую игру 2025... (1928)
- Omoda переписала ценники: кроссоверы Omoda... (1824)
- Темные времена дефицита видеокарт... (2122)
- Владеть Lada стало дороже: АвтоВАЗ поднял... (2343)
- Microsoft втихую прикрыла официальную... (2248)
- Никаких проводов и отверстий: на CES 2026... (2274)
- Монстр на плате: в Сеть утекли фото и... (1916)
- XCite дорожает перед исчезновением? Дилеры... (1989)
- Один из первых в мире компьютеров на... (1896)
- Ноутбуки будут покупать заметно меньше.... (1832)
- Конец эпохи Xiaomi 12 и Redmi Note 12:... (1742)
- Анализ цен на видеокарты показывает, что как... (1824)
- SpaceX первой в мире запустила ракету на... (1954)
- Asus представила материнскую плату Pro WS... (1774)
- Флагманская модель для любителей... (1703)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...