- 27 дюймов, 2,5К и 320 Гц за 190 долларов от... (1715)
- Внутри американских человекоподобных... (1708)
- Nvidia показала работу RTX Mega Geometry в... (1812)
- Глобальная версия камерофона Oppo Find X9... (1642)
- Такой «Волги» ещё не было. Представлен... (1774)
- Samsung устроила массовую распродажу... (1917)
- Редкие кадры: космический корабль Orion,... (1697)
- Xiaomi против жаркого лета: представлен... (1635)
- Выставка на высоте 337 метров: Роскосмос... (1906)
- Корабль Orion с экипажем миссии Artemis II... (1849)
- Новый Redmi одобрен для выхода со... (2124)
- Запуск китайского аналога Falcon 9... (1867)
- Операторов связи РФ могут начать проверять... (1987)
- Motorola готовит необычные смартфоны с... (1971)
- Subnautica стала временно бесплатной в Steam... (1943)
- Российские ученые разработали систему,... (1860)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...