- Квантовая система впервые начала сама... (1675)
- Китайские производители чипов обязаны... (2253)
- Глава Microsoft призвал не зацикливаться на... (1583)
- Asus представит на CES 2026 маршрутизатор с... (1864)
- Платформа AMD AM4 получает вторую жизнь.... (1744)
- Экран есть, но только для полезной... (2084)
- Телескоп «Джеймс Уэбб» впервые зафиксировал... (1667)
- Опасный вредонос GlassWorm переключился с... (2245)
- Эксперимент MicroBooNE не нашёл признаков... (1845)
- Малоизвестный ремастер старой игры... (2173)
- На CES 2026 покажут первый в мире ноутбук с... (1912)
- Стали известны цены на запчасти для Xiaomi... (2398)
- Физики обнаружили неожиданное ускорение... (1655)
- Gigabyte представила четвёрку материнских... (1629)
- Теперь субпиксели размещены ровно. Появилась... (1653)
- Итальянские физики расширили поиск тёмной... (2112)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...