- Спустя всего неделю после релиза... (2251)
- Компактный Dyson W1 PencilWash легко... (2193)
- Низкопрофильный, но мощный. Thermalright... (2116)
- Не только топовая камера, но и самая большая... (2309)
- Быстрый обмен данными между Honor, Oppo,... (2334)
- Huawei укрепила лидерство на рынке... (2415)
- Энтузиасты снова всё сделали без Nvidia.... (2427)
- Intel уже обработала более 1 млн пластин на... (2459)
- iPhone Duo будет стоить до $3000. iPhone 18... (2241)
- Samsung бросает вызов TSMC — 2-нм завод в... (2349)
- Ещё до анонса Xiaomi 18T и Xiaomi 18T Pro... (2613)
- Где посмотреть презентацию новых iPhone: Её... (2543)
- По вине Valve в открытый доступ попали... (2451)
- Вышел трейлер фильма «Искусственный» про... (2478)
- Сегодня — презентация Apple, на которой... (2528)
- OpenAI заявила, что её ИИ решил одну из... (2650)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...