- Tenet набирает обороты в России: у дилеров... (4677)
- «Лучше снова запущу первую часть»:... (5130)
- Живые и цифровые люди в будущем будут... (3793)
- Японское античудо: как умирала... (5310)
- Относительно доступная гарнитура Samsung... (4386)
- В Россию едет гибридный Toyota RAV4: «Рольф»... (5395)
- Минфин РФ и ЦБ решили легализовать расчёты в... (4196)
- Xbox нового поколения может стать гибридом... (5112)
- Сбой в работе AWS показал опасную... (5191)
- Импортонезависимая разработка: в Росатоме... (4481)
- Китайская логистика будущего: 10 000... (3899)
- OnePlus первой выпустит смартфон на... (3551)
- Криминальный боевик Scarface: The World is... (3787)
- Сбой серверов Amazon не дал многим... (4559)
- В Казахстане стартовали продажи «народного... (5011)
- АвтоВАЗ вспомнил про Lada XRay: объявлен... (3677)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...