- Apple не обманула. SSD в новом MacBook Pro... (4775)
- «Быть водителем и автомехаником в одном лице... (3552)
- Один из самых быстрых потребительских SSD... (5811)
- Захваченная Нидерландами Nexperia... (6763)
- «Не в арифметической прогрессии, а в... (5874)
- Складной iPad выйдет в лучшем случае в конце... (4893)
- Новую «Волгу» (Volga Atlas) от Geely засняли... (4820)
- Создателям ремейка Splinter Cell спустя... (4166)
- Дилер рассказал, когда новая Lada Niva... (4024)
- Потеряли интерес? Поставки Li Auto в Россию... (3916)
- От Мексики до Ирландии: дата-центры лишают... (4360)
- Samsung представила первого конкурента для... (5154)
- Mash: АвтоВАЗ перевёл часть рабочих в... (4176)
- Процессоры Intel Core 13-го и 14-го... (5179)
- «Персональный суперкомпьютер» с Nvidia GB10.... (4087)
- Бюджеты на российском рынке IT- и... (4789)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...