- Импортонезависимая разработка: в Росатоме... (4491)
- Китайская логистика будущего: 10 000... (3903)
- OnePlus первой выпустит смартфон на... (3553)
- Криминальный боевик Scarface: The World is... (3789)
- Сбой серверов Amazon не дал многим... (4561)
- В Казахстане стартовали продажи «народного... (5012)
- АвтоВАЗ вспомнил про Lada XRay: объявлен... (3679)
- Samsung представила гарнитуру смешанной... (8211)
- Samsung выпустит смарт-очки на Android XR... (4077)
- Ждём дефицита и роста цен? Анонсированы сбои... (3814)
- Олдскульный нуарный шутер Mouse: P.I. For... (4328)
- И никаких гибридов не надо: Skoda Superb с... (4984)
- Core Ultra 7 270K Plus — так будет... (4105)
- Китайцы привезли с обратной стороны Луны... (6418)
- КамАЗ сметает конкурентов: доля компании... (4166)
- «Работать можно будет по желанию». Илон Маск... (4929)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...