- Потеряли интерес? Поставки Li Auto в Россию... (3924)
- От Мексики до Ирландии: дата-центры лишают... (4374)
- Samsung представила первого конкурента для... (5168)
- Mash: АвтоВАЗ перевёл часть рабочих в... (4191)
- Процессоры Intel Core 13-го и 14-го... (5196)
- «Персональный суперкомпьютер» с Nvidia GB10.... (4112)
- Бюджеты на российском рынке IT- и... (4814)
- Представленная сегодня гарнитура Samsung... (4750)
- Новый замок Xiaomi устанавливается поверх... (4068)
- Redmi K90 Pro Max ещё не представили в... (5156)
- 7000 мАч, 100 Вт, топовый экран Samsung 2K... (4102)
- Переменная диафрагма, до 300 дюймов, яркость... (3970)
- «Самая изысканная базовая модель K-серии за... (4173)
- США рассматривают возможность ликвидации... (4525)
- Завод Stellantis остановлен на несколько... (3545)
- Apple вернулась в суд, чтобы оспорить... (4621)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...