- Apple могла представить складной iPhone ещё... (2847)
- Шестиногий робот сам научился ходить как... (2719)
- К выпуску готовится загадочный x86-процессор... (2744)
- Sega причислила Total War: Warhammer 40,000... (3208)
- One UI 9.0 вышла для Samsung Galaxy A55 —... (3297)
- На Земле началась магнитная... (2906)
- Репортаж со стенда Gorenje на IFA 2026:... (2753)
- Tecno представила тонкий смартфон Camon Slim... (2541)
- В «Яндекс Переводчике» появились алтайский и... (2995)
- Huawei собирает ASML у себя дома: SMIC уже... (3035)
- В России впервые запустили связь 5G из... (2958)
- Китайские производители памяти CXMT и YMTC... (2809)
- MediaTek снова перевыпустила Helio G99 —... (2786)
- Анонсирован научно-фантастический шутер... (3017)
- Смартфон с запоминающимся названием.... (2628)
- Россияне вернулись к обычным звонкам:... (3176)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...