- Xiaomi готовит свой самый амбициозный... (1947)
- Всему хорошему приходит конец: Microsoft... (1667)
- Дорогущий OLED-монитор Asus за 1300 долларов... (1797)
- Apple скупает всю доступную на рынке... (1861)
- Дешевле MacBook Pro с M5 Pro, при этом экран... (1816)
- App Store в России оставили без платежей, но... (1636)
- Qualcomm вместо Exynos и улучшенная камера.... (1600)
- IBM и Arm объединили усилия. Компании... (2068)
- Мультиплеерный стелс-экшен Thick as Thieves... (1799)
- 10-гигабитные порты, скорость 18 000 Мбит/с... (1797)
- Это будут очень большие процессоры Intel, но... (1713)
- Сервисы Microsoft не работают ни на Земле,... (1476)
- Отменённая The Last of Us Online была почти... (1636)
- RTX 5090 выдала 80 к/с в демо, созданном на... (1911)
- Таким будет новый большой флагман Google:... (1737)
- Таким буде новый большой флагман Google:... (1789)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...