- Снаружи — RTX 5090, внутри — пустота:... (2586)
- В России запретили независимым виртуальным... (2441)
- За 11 месяцев Anthropic заключила соглашения... (2906)
- Intel повысит цены на процессоры для ПК ещё... (2715)
- Процессоры Intel подорожают на... (2766)
- NF Group: за последние пять лет ёмкость... (2900)
- Hyundai Creta и Kia Rio X-Line российской... (3185)
- В Европе инженера арестовали за передачу... (3155)
- «Авито Кошелек» запустил оплату мобильной... (3166)
- Тот самый браузерный платформер Happy Wheels... (3101)
- M**a собралась наполнить смартфоны своими... (2966)
- M**a собралась наполнить смартфоны своими... (3354)
- Электромобиль Dacia Spring получил запас... (3388)
- В России стартовало производство... (3218)
- Uber выпустила на улицы Лондона роботакси —... (3490)
- Google начала исправлять ошибку с рассылкой... (2836)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...