- Qualcomm разработает для Amazon ускорители... (2736)
- Аналитики предрекли Apple быструю победу на... (2546)
- Google предупредила о снижении качества... (2034)
- Google предупредила о снижении качество... (2306)
- Intel обработала миллион 300-мм кремниевых... (2578)
- Владельцы Galaxy Z Fold8 пожаловались на... (5604)
- «Мы выпустили прекрасную игру»: Riot... (2737)
- Илон Маск поссорился с Chess.com: миллиардер... (2465)
- Цифровую модель нервной системы плодовой... (2735)
- «Набор кода вручную безнадёжно устарел»: в... (2738)
- 7000 мАч, 1,75-дюймовый сенсорный экран... (2257)
- Мини-компьютер Lenovo с Intel Core Ultra и... (2774)
- Midea показала на IFA 2026 умный дом с ИИ,... (2406)
- Asus GeForceRTX 4090 признали... (2679)
- Microsoft пообещала ускорить загрузку... (2950)
- Представлена «Алиса AI» для... (2341)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...