- Подготовка к 5G: Yadro инвестирует 135 млрд... (1544)
- Google выпустила семейство открытых моделей... (1641)
- Samsung Galaxy A57 будет работать стабильнее... (2601)
- IBM «подружит» мейнфреймы с Arm, но пока,... (2719)
- Samsung выпустила обновление, после которого... (2548)
- Минцифры рассматривает возможность снять... (2922)
- Последние часы жизни C/2026 A1: за 38 часов... (2635)
- В Японии представили «ИИ-чемодан» ELSA... (2170)
- 3 недели автономной работы, датчики ЧСС и... (2641)
- Новая статья: Восьмеричный путь к AGI: от... (2463)
- Samsung начинает экономить на комплектующих:... (2530)
- Идеальный аксессуар для iPhone 17?... (2564)
- Пираты победили Denuvo: игры с обходом... (2247)
- Пираты победили Denuvo: игр с обходом защиты... (1739)
- Пираты победили Denuvo: игры теперь... (2348)
- Microsoft AI представила три собственные... (2191)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...