- Snapdragon 8 Elite Gen 6 и Dimensity 9600... (1530)
- Популярные белорусские кроссоверы Belgee X50... (2062)
- Новое, но только формально. Представлена SoC... (2131)
- Cамый прочный в классе изогнутый дисплей, да... (2048)
- Дешёвый MacBook с экраном диагональю 12,9... (1644)
- Новые чипы Snapdragon X2 Plus для Windows-ПК... (1678)
- AMD хочет занять 25% рынка видеокарт в Китае... (1678)
- Corsair отменяет заказы на комплект ОЗУ,... (1645)
- Трамп отменил продажу полупроводникового... (2324)
- Трамп отменил продажу полупроводникового... (1942)
- Трамп отменил продажу полупроводников ого... (2362)
- Micro-ATX, но четыре слота DIMM, два слота... (1552)
- В течение года SpaceX удвоит производства... (2338)
- Asus покажет на CES 2026 первое устройство с... (1663)
- Почти все самые мощные среднебюджетные... (2302)
- Clicks представила смартфон в стиле... (1654)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...