- Phanteks выпустила корпуса EX5 с отдельными... (2979)
- SteelSeries представила дорогой геймпад Aeon... (2607)
- Chrome стал получать обновления каждые две... (3216)
- «Нет, мы делаем Starfield»: большинство... (3018)
- Microsoft разгневала пользователей,... (3087)
- Фэнтезийный боевик с духом легендарных аркад... (2192)
- «Добро пожаловать в Хогвартс»: Realme... (2246)
- Китайская Rayson представила ноутбучную... (2166)
- Google представила ИИ-платформу для... (2964)
- Microsoft установила новый рекорд, выпустив... (2535)
- Дата выхода, цена и 15 минут геймплея:... (2391)
- «Google Фото» будут удалять файлы из корзины... (2533)
- IonQ собралась выпускать квантовые... (2467)
- Chieftec показала на IFA 2026 большой корпус... (2128)
- Qualcomm разработает для Amazon ускорители... (2697)
- Аналитики предрекли Apple быструю победу на... (2518)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...