- ОАЭ собрались стать ИИ-сверхдержавой: за... (3744)
- ОАЭ собралась стать стать ИИ-сверхдержавой:... (4174)
- Цены на машины пошли вверх. Популярный... (4763)
- Гарантия 3 года или 100 000 км и... (3965)
- Отечественные разработки: «МегаФон» ускорил... (5128)
- Поставки китайских ноутбуков в Россию... (4792)
- 7000 мАч, 120 Вт, экран 2K 144 Гц,... (5689)
- Приложения для Linux заработали на Google... (4312)
- Маленький, да удаленький. Мини-ПК MSI Cubi Z... (3992)
- «Захватывающий экшен с неумолимым темпом»:... (5599)
- Не остановился перед школьным автобусом и не... (5904)
- В продаже в России появились новые... (5930)
- Запрет на бензиновые мотоциклы приведёт к... (5256)
- Samsung остановила распространение One UI 8... (5403)
- «Собаки лают, караван идёт». На фоне успеха... (5257)
- GPS и 4G, недорого: в России стартовали... (4239)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...