- «Яндекс Такси» перейдёт на беспилотные авто... (4462)
- Облачные сервисы Amazon восстановились после... (4006)
- Google удалось отсрочить принудительное... (4347)
- Haval подняла цены почти на все свои... (4490)
- «Я не смогу прочитать ваши сообщения, даже... (5702)
- На новом заводе в Казахстане будут выпускать... (3898)
- По пути Xiaomi: после пылесосов, автомобилей... (4441)
- 9000 мАч, 100 Вт, IP68/69 и OLED-дисплей со... (4354)
- У Nvidia появилась новая видеокарта с 72 ГБ... (5012)
- Третий крупный обвал за пять лет. Amazon не... (4702)
- Третий крупный обвал за пять лет. Amazon не... (4305)
- Почти все автомобили уже отгружены дилерам.... (5843)
- Российские владельцы Chery Tiggo 7 Pro Max... (6153)
- ASML поставила первый литографический сканер... (4471)
- Горный пик в стеклянном корпусе — так... (4406)
- В России началось серийное производство... (4495)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...