- Китайские учёные заявили об обнаружении... (2321)
- Adata покажет на CES 2026 четырёхранговые... (2303)
- В сеть утекли аппаратные ключи PS5 —... (2197)
- В DeepSeek придумали новый способ экономить... (1878)
- Redmi Note 15, Redmi Note 15 Pro и Redmi... (2166)
- Глобальные версии Xiaomi 17 и 17 Ultra... (2728)
- Представлен BMW Alpina — теперь независимый... (2028)
- АвтоВАЗ поменял цены на все модели... (1872)
- Новые УАЗы с другими моторами и коробками... (2156)
- OpenAI фокусируется на разработке аудио ИИ... (1928)
- Самый лёгкий в мире 17-дюймовый ноутбук с... (1858)
- IKEA представила зарядное Sjoss за 4... (1913)
- Samsung приготовила 130-дюймовый телевизор... (1782)
- Обнаружена «планета-изгой» размером с Сатурн... (1802)
- «Это очень важное событие». Установка... (1729)
- 165 Гц, 9000 мАч, быстрая зарядка,... (2115)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...