- Sony вернула на рынок популярные наушники... (3256)
- Ультракомпактная GeForce RTX 3060 без... (2827)
- Более половины всех мощностей техпроцесса 4... (3079)
- Анонсирован флагманский 13-дюймовый планшет... (2055)
- Анонсирован флагманский 3-дюймовый планшет... (2720)
- Apple готовит сразу два варианта совершенно... (2796)
- Моддер поразил фанатов демонстрацией... (2995)
- Anbernic выпустила первую портативную... (2675)
- У этого 3-литрового ПК до 192 ГБ Озу, из... (2576)
- «Мяу»-ноутбук с игровой видеокартой за 1560... (2560)
- Sony представила реинкарнацию легендарных... (2804)
- Huawei представила ускоренную HarmonyOS 7 с... (2838)
- Анонсированы смарт-часы Huawei Watch 6 и 6... (2822)
- Луна могла сформироваться всего за пять... (2361)
- «Погибнут многие храбрые рыцари»:... (2672)
- Еще один бюджетный Xiaomi с большой... (2405)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...