- Бенчмарк AnTuTu опубликовал декабрьские... (2084)
- Продажи Tesla в Европе продолжают падать, но... (2385)
- Asus как минимум временно уходит с рынка... (1883)
- 2-нанометровый техпроцесс озолотит TSMC.... (1841)
- Стоит ли в 2026 году покупать новый игровой... (2141)
- Стоит ожидать подорожания iPhone? Платформа... (1817)
- Gigabyte тоже готовит какую-то новую топовую... (1814)
- Corsair отменила оплаченный заказ на готовый... (1823)
- Инсайдер раскрыл, каким будет первое... (1875)
- Цены на видеокарту Nvidia GeForce RTX 5090... (1832)
- Астрономы впервые измерили массу... (1691)
- GeForce RTX 3060 и не думает уступать трон.... (1938)
- На фоне ограничений США Baidu подала заявку... (1934)
- В условиях дефицита памяти лучше всего дела... (1850)
- Samsung оправилась от провала с HBM3E и... (1881)
- Starlink снизит орбиту спутников для... (2193)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...