- Почти 4500 спутников за год: орбита Земли... (1868)
- Компания DeepSeek начинает 2026 год с новым... (1966)
- Китайская ByteDance закупила ИИ-чипы Huawei... (2436)
- SoC Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro может стать... (2320)
- Очень дешёвый шлюз для управления умной... (1794)
- Выход iPhone 18 может быть отложен до 2027... (2978)
- AMOLED 120 Гц, большой аккумулятор 6500 мАч... (2405)
- Четыре камеры по 50 Мп, 5100 мАч и 90 Вт в... (2007)
- AMOLED 120 Гц, камера 200 Мп с OIS, 50 Мп с... (1880)
- AMOLED 120 Гц, камера 200 Мп с OIS, 50 Мп с... (2010)
- Новый флагман Motorola со стилусом, умные... (2558)
- Samsung Galaxy S26 Ultra получит «невидимый»... (1851)
- Возможности Xiaomi 17 Ultra наглядно... (2026)
- Аккумулятор на 9000 мАч с зарядкой 100 Вт и... (2508)
- Индия приближается к пилотируемым полётам:... (2345)
- Starlink снизит орбиты более 4 000... (2532)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...