- Представлен мощный и недорогой пылесос... (425)
- Red Magic 11 Pro+ — самый мощный смартфон в... (454)
- На Солнце образовался «Чёрный лебедь» —... (388)
- МТС запустил тариф с ИИ-секретарём и... (419)
- Xiaomi представила топовую... (586)
- Квартиры ПИК начинают продаваться с... (359)
- Первый смартфон Samsung, складываемый втрое,... (566)
- Латвийский автопроизводитель Dartz начнёт... (555)
- Бесплатный доступ к ИИ от Google: Opera... (572)
- В ChatGPT появится (427)
- Уникальный суперкар Gordon Murray S1 LM... (511)
- «Свободные парковки» появились в приложении... (546)
- Дизельный УАЗ под землёй: модернизированный... (439)
- «Билайн» завершил комплексную модернизацию... (602)
- Starship будут запускать по несколько раз в... (434)
- SpaceX уже строит новый стартовый комплекс... (583)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...