- Nvidia выпустила драйвер с поддержкой Arc... (716)
- Французские сотрудники Ubisoft выйдут на... (520)
- iPhone Air с прозрачной частью... (932)
- В России создали кастомный iPhone Air с... (604)
- УАЗ готовит крупнейшее обновление... (899)
- Pinterest заменит 15 % сотрудников... (1329)
- Всё больше пользователей выбирает OLED.... (562)
- Компанию Meta* обвиняют в том, что она... (573)
- В «Google Фото» теперь можно описать... (507)
- Новейший Ryzen 7 9850X3D протестировали в... (528)
- Водородная «Ангара-А5В» полетит в космос не... (555)
- Рокеры против пришельцев: российская студия... (581)
- 90% пользователей проголосовало против ИИ.... (555)
- Nvidia бросила вызов Intel Xeon и AMD Epyc —... (575)
- В Китае заработал крупнейший в мире... (690)
- Хакеры вломились в 1,5 млн систем через два... (628)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...