- И снова Samsung впереди всех. Компания... (3090)
- Страховщики рассказали, сколько стоит... (2808)
- В Корее разработали натриево-ионный... (2912)
- Samsung откроет в Кремниевой долине... (3024)
- Роскачество назвало лучшие недорогие... (3404)
- Россияне стали выбирать машины побольше:... (3244)
- Яндекс обновил поиск по врачам:... (7427)
- Android-пользователи в России столкнулись с... (8141)
- Ажиотажный спрос на автобусы МАЗ: побит... (3056)
- Новые Haval H7 и Haval H9 начнут официально... (3551)
- Подсчитана стоимость владения Chery Tiggo 4... (3051)
- Исследование раскрыло траты российских... (3038)
- Новейшую Toyota Sienna 2024 представят... (3320)
- Мало того, что в линейке Radeon RX 8000 не... (3298)
- В России закончились Lada... (3250)
- Китай продолжает получать подсанкционные... (3156)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...