- Intel начала сворачивать поддержку... (741)
- Российские автодилеры распродают остатки:... (576)
- Одноплатный компьютер Orange Pi 6 Plus... (728)
- 7 мест, 2,0-литровый турбомотор и... (655)
- Steam установил новый рекорд пикового... (559)
- Lada Niva с новым мотором 1,8 литра:... (577)
- 8,68 дюйма, IP68/IP69K, MIL-STD-810H, 6600... (470)
- Ультратонкая рамка 1,15 мм, 165 Гц и... (795)
- Умные очки Apple будут работать в разных... (579)
- Нидерланды захватили контроль над... (668)
- Две области на Солнце размером в 10 раз... (582)
- Lada Granta с дефектами ступичных... (774)
- «Она захватила мою жизнь, помогите!»:... (467)
- Lexus выходит на новый уровень. Флагманский... (875)
- Tenet показал себя на старте втрое слабее,... (586)
- Анонсирован защищённый смартфон Oukitel WP58... (763)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...