- Wi-Fi 7+, до 3570 Мбит/с, возможность... (515)
- 200 Мп, 100 Вт и большие батареи: раскрыты... (509)
- Годы уходят, а деньги приходят: сборы на... (406)
- В OpenAI введён «красный код»: Альтман... (405)
- Это не компьютерная графика: боевой робот... (536)
- Теперь официально: в России начали выпускать... (625)
- Яндекс выпустил климатический модуль для... (424)
- «Катастрофически плохая идея»: бывший... (627)
- Microsoft ускорила «Проводник» в Windows 11,... (589)
- SpaceX поставила новый рекорд: одна ступень... (581)
- Представлен мощный и недорогой пылесос... (419)
- Red Magic 11 Pro+ — самый мощный смартфон в... (451)
- На Солнце образовался «Чёрный лебедь» —... (383)
- МТС запустил тариф с ИИ-секретарём и... (407)
- Xiaomi представила топовую... (581)
- Квартиры ПИК начинают продаваться с... (356)
Раскрыты сроки выхода Apple MacBook на процессорах «для смартфонов»
Дата: 2020-02-25 10:59
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Производство нового зарядного устройства для смартфонов мощностью 65 Вт, использующего нитрид галлия (GaN) и имеющего существенно меньшие размеры по отношению к своим аналогам, запустила компания Xiaomi, пишет портал ixbt.com 22 февраля со ссылкой на китайский сайт...
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...