- 3,84 Тбайт в формате M.2 — Swissbit... (2246)
- Silicon Motion нарастила продажи... (2883)
- 7 из 10 американцев не хотят видеть... (2619)
- Apple App Store обеспечил разработчикам... (2626)
- «Всё, о чём я мечтал, и даже больше»: 10... (2867)
- Amazon представила полностью автономного... (2100)
- God of War Laufey не придётся ждать... (2339)
- Microsoft: современный ИИ ЦОД потребляет... (4092)
- Репортаж со стенда Acer на Computex 2026: 50... (2424)
- Frore показала сверхтонкий жидкостный кулер... (2099)
- AMD не исключает возможность выпуска... (2118)
- Китай теряет столько же «зелёной» энергии,... (2189)
- Репортаж со стенда DeepCool на Computex... (2230)
- I*******m оповестил пользователей, которых... (2083)
- «Яндекс» применит концепцию кампусов ЦОД и... (2271)
- Авторитетный инсайдер считает, что большая... (2305)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...