- Samsung троллит Apple после анонса iPhone... (1666)
- OpenAI готова замедлить гонку разработки ИИ,... (2166)
- В октябре Apple представит более 7 новых... (1836)
- Меркурий сжимается быстрее, чем ранее думали... (1866)
- Электрические аэротакси получили разрешение... (1546)
- Новая статья: Обзор складного смартфона... (2538)
- MSI выпустила игровой Creator P60 с какой-то... (2355)
- В Луизиане готовят атомный комплекс на 1... (2541)
- Intel опередила TSMC на несколько лет.... (2376)
- Саудовские хозяева задумались объединить... (2531)
- Core Ultra 9, 24 ГБ ОЗУ и экран 120 Гц.... (2317)
- Стартовал ранний доступ сетевого шутера... (2298)
- AMD Ryzen AI Max+ 395 и 128 ГБ ОЗУ. Ninkear... (2333)
- AMD выпустила новый процессор Ryzen 5 5500F,... (2339)
- AMD выпустила шестиядерные Ryzen 5 7500 и... (2371)
- AMD выпустила ещё один процессор прошлого... (2583)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...